SK海力士发布全球首款321层NAND

许冰

在美国举行的 2023 年闪存峰会 (FMS)，SK海力士正式公布了公司的 321 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的开发进展，并展示了样品。值得一提的是，这是全球首款突破三百层的存储。

SK海力士发言人表示：“基于成功开发业界最高238层NAND并已量产的经验，我们321层产品的开发进展顺利。” “随着解决堆叠限制的又一次突破，SK海力士将开启300层以上的NAND时代，并引领市场。”

该公司表示，321层产品的生产率比其238层前代产品高出59%，其数据存储单元堆叠得更高，从而提高了单片晶圆的整体容量。随着ChatGPT的爆发式普及，生成式AI市场快速增长，这增加了对能够更快地处理更多数据的高性能、大容量存储芯片的需求。

为了顺应这一趋势，SK海力士还在闪存峰会上推出了针对此类AI需求优化的下一代NAND产品，包括支持PCIe Gen5接口和UFS 4.0的企业级固态硬盘（SSD）。

该公司预计这些产品将实现行业领先的性能，以充分满足客户以高性能为重点的需求。SK海力士NAND开发主管Choi Jung-dal在主题演讲中表示，该公司预计321层产品的持续开发将有助于巩固其在NAND内存领域的技术领先地位。Choi表示：“随着高性能、大容量NAND的适时推出，我们将努力满足AI时代的要求，并继续引领创新。”

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