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8月1日消息，据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机研发上取得重大突破，预计在年底向市场交付国产第一台28nm光刻机设备。据悉，上海微电子在之前90nm的基础上，即将量产28nm immersion式光刻机，在2023年交付国产第一台SSA/800-10W光刻机设备。
immersion式光刻机就是浸没式光刻机，采用ArF光源，也就是193nm波长的光源，这是第四代光刻机，这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距，上海微电子凭借此项制程工艺也将会直接赶超日本佳能、尼康厂商，成为继荷兰ASML后，全球第二先进的光刻机厂商巨头。（中国半导体论坛）
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发表于 2023-8-2 12:20:53